用途
主としてコンピュータのMPUや通信機器などに使用されるASICなどの高機能ICチップを搭載するパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、鉄・ニッケル・コバルト合金などのピン端子を銀鑞付けする。

特徴
セラミック多層配線構造により微細な配線回路を形成、電気特性の多機能化にも対応して一体形成の内蔵キャパシタも形成可能、外部端子はソケット実装用の他、表面実装用のファインピッチにも対応、400ピン以上の外部端子のご要求にも対応できます。

用途
通信機器などに使用される水晶振動子、水晶発振器、SAWフィルタ用のSMDタイプパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、必要に応じ鉄・ニッケル・コバルト合金の封止用金属リングを銀鑞付けする。

特徴
通信機器の小形軽量化の追求に合わせた、超小型で薄型の表面実装用リードレスセラミックパッケージです。

用途
通信機器などに使用される水晶振動子、水晶発振器、SAWフィルタ用のCSPタイプパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス。

特徴
個片での取り扱いが難しい2.0mmSQ以下の超小型・薄型デバイス用パネルタイプCSPセラミックパッケージです。

用途
携帯電話、モバイルPCに搭載される小型カメラ用パッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス。

特徴
光学デバイスに要求される防塵性能の高いセラミック材料を使用したパッケージです。

用途
ジャイロセンサー、GPS、エアバッグなど、各種センサーに使用される気密性・高信頼性を要求されるパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、必要に応じ鉄・ニッケル・コバルト合金の封止用金属リングを銀鑞付けする。

特徴
外部環境からセンサー素子を保護する目的に最適なパッケージです。

用途
広範囲な用途に使用される汎用性の高いパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、鉄・ニッケル合金などのリード端子を銀鑞付けする。

特徴
DIPパッケージとも呼ばれる汎用パッケージ。パッケージ幅を狭くしたスキニー・タイプや、外部端子ピッチを短くしたシュリンク・タイプ、Jリードタイプのご要求にも対応できます。

用途
産業機器や通信機器用ASICなどに使用される表面実装用パッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、鉄・ニッケル合金などのリード端子を銀鑞付けする。

特徴
リードピッチが0.5mm以下と微細で、200ピン以上の実装密度の高い小型・薄型のパッケージのご要求にも対応できます。

用途
主としてコンピュータのMPUや通信機器などに使用されるASICなどの高機能ICチップを搭載するパッケージ。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、鉄・ニッケル・コバルト合金などのピン端子を銀鑞付けする。

特徴
パッケージとICチップの微小なパッド面を向い合わせて半田接続して、電気接続と共にチップとパッケージの接続を同時に行う。接続距離が短いので信号伝達の高速化と共に、一括接続による組立作業の生産性向上ができます。

用途
GaAsFET、高出力FET、MMICなど、高周波・高出力が要求されるパッケージ。

材料
セラミックスはアルミナセラミックス、Cu合金などの放熱板及び鉄・ニッケル・コバルト合金などのリード端子を銀鑞付けする。

特徴
高周波領域における電気・熱特性を設計時のシミュレーションにより最適設計いたします。

用途
高速長距離およびメトロ／アクセス伝送に使用され、発光素子（LD）・受光素子（PD）が搭載されるパッケージ。

材料
多層セラミックフィールドスルーに筐体金具、スリーブ、リード端子を銀蝋付けしたバタフライ型パッケージ。
多層セラミックの筐体にスリーブ、リード端子を銀蝋付けしたMini-DIL、Mini-FLAT型パッケージなど。
また、用途によりスリーブ内に光学窓材の蝋付けも可能です。

特徴
セラミック多層配線により柔軟な設計が可能であり、気密性・高信頼性を持ったパッケージです。

用途
情報処理機器や通信機器に使用されるハイエンド高周波モジュール基板などの高密度多層配線基板、MCM基板。

材料
本体はコファイヤ多層アルミナセラミックス、鉄・ニッケル・コバルト合金のピンやリード端子を銀鑞付けする。

特徴
お客様のニーズに合わせて信号の高速化と実装の高密度化に対応するために最適設計いたします。

用途
コンピュータなどの情報処理機器に使用する微細高密度配線基板。通信機器のRF（高周波）部に使用する能受動回路。L（インダクタンス）・R（抵抗）を配線と同時に形成したモジュール基板に適しています。

材料
配線は低抵抗・低損失のCu及びAu。抵抗はTa2N系。

特徴
小型・薄型の基板に、高密度・低損失の配線が形成可能です。

用途
シリコンウェハーの検査に使用される超大型高密度高精度多層基板。

材料
20層を超えるアルミナセラミック多層基板上に薄膜技術を用い高精度の端子を形成。

特徴
シリコンウェハーの大型化に伴い、テスト効率を向上するためマルチDUTにも対応いたします。

用途
移動体通信モジュール用多層基板（フロントエンドモジュール用、ブルートゥースモジュール用、SAWデュプレクサPKGなど）

材料
高周波特性に優れたLTCC材料に低抵抗導体（Ag）を同時焼成。

特徴
導体抵抗が低いため、回路の電気特性が向上し、さらに、LC機能をセラミック多層基板に内蔵することにより小型化、高機能化が可能。

用途
移動体通話用モジュール（携帯電話用アンテナスイッチモジュール、フロントエンドモジュール）

材料
LTCC多層基板にチップ部品を搭載し、モジュール化 。

特徴
高周波通信回路ブロックのモジュール化に対し、LC機能をセラミック多層基板に内蔵、搭載部品点数を削減することにより小型化、低背化を実現。